平板探測(cè)器從能量轉(zhuǎn)換的方式可以分為兩種 :間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器( indirect FPD)和直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器( directFPD) 。

  間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器

  間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器由碘化銫等閃爍晶體涂層與薄膜晶體管( Thi n Film T ransistor , T FT)或電荷耦合器件( C hargeC oupling Device , C CD)或 互 補(bǔ) 型 金 屬 氧 化 物 半 導(dǎo) 體( Com plem en tary M etal Oxide S em i -Conductor , CM OS)構(gòu)成 。間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器的工作過(guò)程一般分為兩步 , 首先閃爍晶體涂層將 X 線的能量轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光 ;其次 TF T 或者C CD , 或 C MO S 將可見(jiàn)光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。由于在這過(guò)程中可見(jiàn)光會(huì)發(fā)生散射 , 對(duì)空間分辨率產(chǎn)生一定的影響 。雖然新工藝中將閃爍體加工成柱狀以提高對(duì) X 線的利用及降低散射 ,但散射光對(duì)空間分辨率的影響不能完全消除 。

  直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器

  直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器主要由非晶硒層 (Am orph ou s S elenium , a -S e ) T FT 構(gòu)成 。入射的 X 射線使硒層產(chǎn)生電子空穴對(duì), 在外加偏壓電場(chǎng)作用下 , 電子和空穴對(duì)向相反的方向移動(dòng)形成電流 , 電流在薄膜晶體管中形成儲(chǔ)存電荷 。每一個(gè)晶體管的儲(chǔ)存電荷量對(duì)應(yīng)于入射 X 射線的劑量 , 通過(guò)讀出電路可以知道每一點(diǎn)的電荷量 ,進(jìn)而知道每點(diǎn)的 X 線劑量 。由于非晶硒不產(chǎn)生可見(jiàn)光 , 沒(méi)有散射線的影響 , 因此可以獲得比較高的空間分辨率